為了加強裝置的**性，大都采用具有變壓器隔離的隔離型方案。從功率角度考慮，當選用的功率開關管的額定電壓和額定電流相同時，裝置的總功率通常和開關管的個數(shù)呈正比例關系，故全橋變換器的功率是半橋變換器的2倍，適用于中大功率的場合。基于以上考慮，本方案中補償裝置選用帶有變壓器隔離的全橋型直流變換器。借助于效率高、動態(tài)性能好、線性度高等優(yōu)點，PWM（脈寬調(diào)制）技術(shù)在全橋變換器領域得到了廣發(fā)的關注和應用，已經(jīng)成為了主流的控制技術(shù)。傳統(tǒng)的PWM直流變換器開關管工作在硬開關狀態(tài)。在硬開關的缺陷是很明顯的具體表現(xiàn)在：1）開關管的開關損耗隨著頻率的提高而增加；2）開關管硬關斷時電流的突變會產(chǎn)生加在開關管兩端的尖峰電壓，容易造成開關管被擊穿；3）開關管硬開通時其自身結(jié)電容放電會產(chǎn)生沖擊電流造成開關管的發(fā)熱。電壓傳感器的輸入是電壓本身，輸出可以是模擬電壓信號、開關、可聽信號、模擬電流電平。寧波粒子加速器電壓傳感器出廠價

在對磁體做放電實驗時，如果**依靠電力電子變換器為磁體提供極大的脈沖式電能則對該電力電子裝置的容量要求特別高，這樣增加了建設成本。于是本項目以實驗室已有的對磁體放電的電源系統(tǒng)為基礎，再利用電力電子裝置作為補償系統(tǒng)，將原有電源系統(tǒng)的精度提高到我們需求的水平。目前采用了高壓儲能電容器電源和脈沖發(fā)電機電源作為磁體供電的主要系統(tǒng)。高壓儲能電容器組通過充電機對其充電儲存能量，需要對磁體放電時打開放電開關，電容器組將儲存的能量釋放給磁體。電容器組放電效率高，結(jié)構(gòu)簡單、控制簡單、**性好。寧波電壓傳感器定制電阻分壓式由于沒有諧振問題，性能優(yōu)于電容式。

儲能電容的計算：1）根據(jù)工程經(jīng)驗估算：根據(jù)工程實踐經(jīng)驗，裝置的功率與前端儲能電容有對應的關系。整個裝置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦對應儲能電容容量1μF，則可選用電容至少1200μF。2）根據(jù)能量關系式計算：儲能電容為后續(xù)的DC/DC變換提供直流電壓，其本身的電壓波動反應在電容上可以認為是電容器電能的補充和釋放過程。要保持電容器端電壓不變，每個周期中儲能電容器對電路提供的能量和其本身充電所得的能量相等。儲能電容在整流橋輸出端，同時也須承擔濾波的任務。為了保證對整個裝置提供足夠的能量，我們所選用的儲能電容**小值為1200UF。

控制電路的軟件設計實則是控制方案的具體實施，其中包含了很多模塊的程序編寫，比如DSP的各個單元基本功能的實現(xiàn)、AD的控制、數(shù)據(jù)的計算處理等。在此只簡述DSP對AD的控制、DSP輸出PWM波移相產(chǎn)生的方式以及控制系統(tǒng)PID閉環(huán)的實施方案。對于任何一個數(shù)字控制電路來說，要實現(xiàn)對被控對象的實時的、帶反饋的控制則必須要實時監(jiān)測和采集被控對象的狀態(tài)值。AD模塊是被控對象狀態(tài)值采集的必要環(huán)節(jié)，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的準確采集就必須要實現(xiàn)對AD的準確控制。本試驗中選用的AD的芯片是MAX125。方向相反，從而在磁芯中保持磁通為零。

磁體自身電阻較小，加在磁體兩端的高電壓在磁體中產(chǎn)生大電流，產(chǎn)生強磁場。但由于磁體電阻不可能為零，在通過瞬間的大電流時，磁體本身會瞬間發(fā)熱產(chǎn)生高溫，其自身的電阻也會隨著溫度的升高進一步增大，增大的電阻在大電流通過時更進一步發(fā)熱。如此，為了真正讓磁體通過脈沖式高穩(wěn)定度大電流，并不能簡單給磁體配置一個脈沖式高穩(wěn)定度的電壓源，而是需要一個脈沖式、紋波小、可控、快速反應的電源。強磁場磁體的電源不用于其它裝置的供電電源，在需要產(chǎn)生磁場的時候，電能以很快的速度釋放至磁體產(chǎn)生強磁場。由于瞬時功率很大，若從電網(wǎng)中取電必然會對電網(wǎng)造成沖擊。故而需要電源系統(tǒng)在較長時間內(nèi)儲存大量的能量，然后以此儲能電源系統(tǒng)作為緩沖來為實驗提供大功率的瞬時電能。當交流電壓通過這些極板時，由于電子通過對面極板電壓的吸引或排斥作用，電流將開始通過。南京內(nèi)阻測試儀電壓傳感器定制

經(jīng)過磁環(huán)將原邊電流產(chǎn)生的磁場被氣隙中的霍爾元件檢測到。寧波粒子加速器電壓傳感器出廠價

對于前端儲能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導體器件為基礎的。我們在設計電路時，也有很多可供選擇的電力半導體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點以及**適合應用場合。例如MOSFET開關頻率高，動態(tài)響應速度快，但其電流容量相對小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關斷晶閘管具有自關斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實驗中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關管。寧波粒子加速器電壓傳感器出廠價